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　　(2) 大功率晶體管的損壞也可能引起OC報警，富士變頻器的大功率晶體管隨著半導體技術的發展經過了幾次換代，從早期的用于G2(P2)，G5(P5)，G7(P7)系列的GTR模塊，到G9(P9)系列的IGBT模塊，直到現在使用的IPM模塊，無論從封裝技術還是保護性能，都有了很大的提高，高耐壓、大電流、高頻、低耗、靜音、多保護功能已成為大功率晶體管模塊的發展趨勢。大功率晶體管模塊的損壞主要可能有以下幾種原因造成:

　　a) 輸出負載發生短路;

　　b) 負載過大，大電流持續出現;

　　c) 負載波動很大，導致浪涌電流過大，都可能引起OC報警，損壞功率模塊。

　　(3)驅動大功率晶體管工作的驅動電路的損壞也是導致過流報警的一個原因。富士G7S、G9S分別使用了PC922，PC923兩種光耦作為驅動電路的核心部分，由于內置放大電路，線路設計簡單，被包括富士變頻器在內的多家變頻器廠家廣泛使用。驅動電路損壞表現出來最常見的現象就是缺相，或三相輸出電壓不平衡。

　　(4)檢測電路的損壞也會導致變頻器顯示OC報警，檢測電流的霍爾傳感器由于受溫度，濕度等環境因數的影響，工作點很容易發生飄移，導致OC報警。

　　開關電源損壞

　　開關電源損壞一個比較明顯的特征就是變頻器上電無顯示，富士G5S采用了兩級開關電源，它先把中間直流回路的直流電壓由500多V轉變成300多V，然后再通過一級開關電源輸出5V，24V等多路電源，開關電源的損壞常見的有開關管擊穿，脈沖變壓器燒壞，以及次級輸出整流兩極管損壞，濾波電容使用時間過長，導致電容特性變化，帶載能力下降，也很容易引起開關電源的損壞。富士G9S則使用了一片開關電源專用的波形發生芯片，由于受到主回路高電壓的竄入，經常會導致此芯片的損壞，由于此芯片市場很少能買到，引起的損壞較難修復。

　　整流橋損壞

　　整流橋的損壞也是富士變頻器常見的故障，富士G7S使用了一塊帶有可控硅的整流模塊，它與普通整流橋的區別就在于它用可控硅替代了主回路接觸器，提高了機器的可靠性。G9S小功率機器整流橋則是集成可控硅與開關管于一體。整流橋的損壞常與機器外部電源有密切聯系，當整流橋發生故障后，我們不能再盲目上電源，應先檢查外圍設備。

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